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单模光纤

简要描述:单模光纤:高NAS光纤具有优异的抗弯曲损耗的坚固性,并且由于其改进的光敏性而无需氢化,因此也常用于FBG刻写。UV-Vis光纤具有纯二氧化硅纤芯,以提高对日晒作用的抵抗力,在550nm以上工作的光纤具有Ge掺杂的纤芯。单模纯硅芯光纤也可在NIR中工作,并在“恶劣环境"部分中列出。包层直径为Ø80µm的光纤可减少占用空间,同时提高弯曲时的机械可靠性。纤维可以涂上标准的高温丙烯酸酯或聚酰亚胺。

  • 产品品牌:其他品牌
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2025-11-03
  • 访  问  量:22

详细介绍

品牌其他品牌应用领域综合

单模光纤 

用于恶劣环境的缓冲涂层

单模光纤我们提供工作波长在375 nm和1650 nm之间的单模光纤,NA在0.12和0.37之间。高NAS光纤具有优异的抗弯曲损耗的坚固性,并且由于其改进的光敏性而无需氢化,因此也常用于FBG刻写。

UV-Vis光纤具有纯二氧化硅纤芯,以提高对日晒作用的抵抗力,在550nm以上工作的光纤具有Ge掺杂的纤芯。单模纯硅芯光纤也可在NIR中工作,并在“恶劣环境"部分中列出。

包层直径为Ø80µm的光纤可减少占用空间,同时提高弯曲时的机械可靠性。纤维可以涂上标准的高温丙烯酸酯或聚酰亚胺。

关键特征

l375至1650纳米操作

l纯二氧化硅芯(UV/VIS)或掺锗(VIS/NIR)

lØ125µm、Ø80µm或定制包层直径

l丙烯酸酯、高温丙烯酸酯或聚酰亚胺涂料

应用覆盖

lPigtailing

l传感(DAS、DTS、DSS)

l光纤光栅刻字

l生物医学

主要规格

产品名称

规格

IXF-SM-375-125-010

UV-Vis operation

Solarization   resistant, pure silica core

0.10 core NA

IXF-SM-780-125-014

780 nm operation

0.14 core NA

IXF-SM-1550-60-019

1550 nm operation

60 µm cladding diameter

0.19 Core NA

IXF-SM-1550-80-016

1550 nm operation

80 µm cladding diameter

0.16 Core NA

IXF-SM-1550-80-019

1550 nm operation

60 µm cladding diameter

0.19 Core NA

IXF-SM-1550-80-022

1550 nm operation

80 µm cladding diameter

0.22 core NA

IXF-SM-1550-125-012-PI

Low radiation level

Polyimide coating

IXF-SM-1550-125-014-PI

Low radiation level

Polyimide coating

IXF-SM-1550-80-019-PI

Low radiation level

Polyimide coating

IXF-SM-1550-80-024-PI

Low radiation level

Polyimide coating

IXF-SM-1550-125-028-PI

Low radiation level

Polyimide coating

IXF-SM-1550-125-014-HT

Low radiation level

Polyimide coating

IXF-PHO-CMS

Cladding Mode Shifted

Up to 9 nm,   <0.25 dB splice loss

IXF-PHO-CMSP

Cladding Mode Shifted

Up to 9 nm,   <0.25 dB splice loss

 


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